La nova tecnologia de dissipació de calor de semiconductors millora la dissipació de calor en un 25%
Segons els informes, els enginyers de Corea del Sud han descobert un nou mode de transferència de calor mitjançant polaritons de plasmó de superfície (SPP), fent un gran avenç en la gestió tèrmica dels semiconductors. Aquest nou mètode augmenta la dissipació de calor en un 25%, la qual cosa és crucial per resoldre el problema de sobreescalfament dels petits dispositius semiconductors.
La necessitat de reduir la mida dels semiconductors, juntament amb el problema de la calor generada als punts calents dels dispositius que no es dispersa eficaçment, ha tingut un impacte negatiu en la fiabilitat i durabilitat dels dispositius moderns. La tecnologia de gestió tèrmica existent encara no és competent per a aquesta tasca. Per tant, descobrir un nou mètode per utilitzar ones superficials generades per pel·lícules metàl·liques sobre substrats per dissipar la calor és, de fet, un avenç important.
SPP es refereix a l'ona superficial formada per la forta interacció entre el camp electromagnètic a la interfície entre el dielèctric i el metall, així com els electrons lliures i les partícules vibratòries col·lectives similars a la superfície metàl·lica. Concretament, l'equip d'investigació va utilitzar SPP (ones superficials generades a la interfície dielèctrica metàl·lica) per millorar la difusió tèrmica de les pel·lícules metàl·liques a nanoescala. A causa del fet que aquest nou mode de transferència de calor es produeix quan es dipositen pel·lícules fines metàl·liques sobre el substrat, és molt útil en el procés de fabricació del dispositiu i té l'avantatge de poder fabricar-se a gran escala.
Aquest resultat té implicacions significatives per al desenvolupament de dispositius semiconductors d'alt rendiment en el futur, ja que es pot aplicar a la ràpida dissipació de calor en pel·lícules primes a nanoescala. Especialment, s'espera que el nou mode de transferència de calor descobert per l'equip d'investigació resolgui el problema bàsic de la gestió tèrmica en dispositius semiconductors, ja que pot aconseguir una transferència de calor més eficaç a gruixos a nanoescala i la conductivitat tèrmica de les pel·lícules primes es redueix generalment a causa de efectes de dispersió de límits.
